JISC21まとめ 1ページ目

JISC2143-4-3:2014の規格は,電気加熱式で,かつ,換気式の複数のチャンバをもつ劣化処理オーブンの最低限度の要求事項について規定。周囲温度より20K高い温度から500℃までの全ての温度範囲,又は一部の温度範囲で使用するよう設計されたオーブンについて規定。マルチチャンバオーブンの受入試験,負荷状態及び無負荷状態での稼働中の監視試験,並びに使用条件について規定。

JISC2110-1:2016の規格は,固体電気絶縁材料の商用周波数(48Hz~62Hz)の交流電圧による短時間の絶縁破壊の強さの試験方法について規定。

JISC2139-3-2:2018の規格は,直流電圧の印加によって電気絶縁材料の表面抵抗及び表面抵抗率を測定するための試験方法について規定。

JISC2116:2011の規格は,電気絶縁用マイカ製品の試験方法について規定。

JISC2137:2006の規格は,電気絶縁材料に対して汚損液への浸せき及びそれに続く沿面交流電界の印加が周期的に繰り返された場合の絶縁材料相互間の耐久性能を比較するための試験方法について規定。

JISC2139-3-3:2018の規格は,直流電圧の印加によって電気絶縁材料又は電気絶縁システムの絶縁抵抗を測定するための試験方法について規定。

JISC2143-3:2013の規格は,JISC2143-1及びJISC2143-2に従って,複数の一定温度で試験片を劣化処理したとき,時間経過によって得られる特性変化を基に,熱的耐久性を導く計算手順について規定。

JISC2151:2019の規格は,電気機器,電子機器,電線,その他一般の電気絶縁用及びコンデンサの誘電体用として用いる電気用プラスチックフィルムの試験方法について規定。

JISC2103:2013の規格は,電気絶縁用ワニスの試験方法について規定。乾燥前及び/又は硬化前のワニス並びに乾燥後及び/又は硬化後のワニスに適用。

JISC2162:2010の規格は,“高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験”に使用する試験装置,試料の構造,SiC基板中の欠陥の影響を排除する方法及び試験手順について規定。