JIS C 2162 最新規格 高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法|JIS規格一覧|更新改正情報|制定

JIS C 2162の規格 高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法の一覧・基本・名称・用語・知識・JIS最新改正更新情報に関して解説!

JISC2162:2010の規格は,“高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験”に使用する試験装置,試料の構造,SiC基板中の欠陥の影響を排除する方法及び試験手順について規定。

高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法 規格 一覧表

JIS C 2162

高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法の一覧

最新 JISC2162:2010の更新 情報詳細

JIS C 2162:2010の最新の詳細や改正,更新日の情報!

JIS 改正 最新情報

JIS規格番号 JIS C 2162 JIS改正 最新・更新日
規格名称 高温での炭化けい素(SiC)素子のゲート絶縁膜の長期信頼性寿命試験方法
英語訳 Test method of long-term reliability of gate insulator for SiC devices at high temperature
対応国際規格 ISO
主務大臣 経済産業 制定 年月日 2010/3/23
略語・記号 No JIS C 2162:2010
ICS 29.035.01JISハンドブック
改訂 履歴 2010-03-23(制定),2014-10-20(確認),2019-10-21(確認)

JIS規格「日本工業規格」は、2019年7月1日の法改正により名称が「日本産業規格」に変わりました。

日本産業規格の一覧

日本産業規格のアルファベット分類一覧を参照
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