JIS C 6760 最新規格 弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ-仕様及び測定法|JIS規格一覧|更新改正情報|制定

JIS C 6760の規格 弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ-仕様及び測定法の一覧・基本・名称・用語・知識・JIS最新改正更新情報に関して解説!

JISC6760:2014の規格は,弾性表面波フィルタ及び弾性表面波共振子に基板材料として用いる水晶,ニオブ酸リチウム,タンタル酸リチウム,四ほう酸リチウム及びランガサイトのウェハについて規定。

弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ-仕様及び測定法 規格 一覧表

JIS C 6760

弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ-仕様及び測定法の一覧

最新 JISC6760:2014の更新 情報詳細

JIS C 6760:2014の最新の詳細や改正,更新日の情報!

JIS 改正 最新情報

JIS規格番号 JIS C 6760 JIS改正 最新・更新日
規格名称 弾性表面波デバイス用単結晶ウェハ-仕様及び測定法
英語訳 Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications – Specifications and measuring methods
対応国際規格 ISO IEC 62276:2012(MOD)
主務大臣 経済産業 制定 年月日 2014/6/20
略語・記号 No JIS C 6760:2014
ICS 31.140JISハンドブック
改訂 履歴 2014-06-20(制定),2019-10-21(確認)

JIS規格「日本工業規格」は、2019年7月1日の法改正により名称が「日本産業規格」に変わりました。

JIS C 6760:2014の関連規格と引用規格一覧

日本産業規格の一覧

日本産業規格のアルファベット分類一覧を参照
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