JIS Z 4504 放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)及びα線放出核種|日本産業規格|最新情報 更新 改正制定

JIS Z 4504 放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)とα線放出核種の日本産業規格 JISZ4504の一覧・基本・名称・用語・知識・JIS最新改正更新情報に関して解説!

JIS Z4504:2008の規格は,物品,施設,線源収納容器,密封線源などの放射性表面汚染を表面汚染密度で評価する方法について規定。皮膚及び衣服については,適用しない。

放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)とα線放出核種 規格 一覧表

JIS Z 4504

放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)及びα線放出核種の一覧

最新 JIS Z4504 規格の詳細 更新日 情報

JIS Z 4504:2008の最新の詳細や改正,更新日の情報!

JIS 改正 最新情報

JIS規格番号 JIS Z4504 JIS改正 最新・更新日 2008年01月20日
規格名称 放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)とα線放出核種
英語訳 Evaluation of surface contamination – Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0.15 MeV) and alpha-emitters
対応国際規格 ISO ISO 7503-1:1988,Evaluation of surface contamination-Part 1: Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0.15 MeV) and alpha-emitters (IDT)
対応国際規格 IECISO 7503-1:1988(IDT)
主務大臣 経済産業 制定 年月日 1958年03月03日
略語・記号 No JIS Z4504:2008
ICS 13.280JISハンドブック
改訂 履歴 1958-03-03 (制定),1961-03-03 (確認),1964-10-01 (確認),1968-04-01 (確認),1971-03-01 (確認),1974-04-01 (確認),1975-02-01 (改正),1978-02-01 (確認),1983-11-01 (確認),1989-03-01 (確認),1993-10-01 (改正),1999-06-20 (確認),2005-03-20 (確認),2008-01-20 (改正),2012-10-22 (確認),2017-10-20 (確認)

JIS規格「日本工業規格」は、2019年7月1日の法改正により名称が「日本産業規格」に変わりました。

JIS Z4504:2008 目次

  • 序文
  • 1 適用範囲
  • 2 引用規格
  • 3 用語と定義
  • 4 放射性表面汚染の測定方法
  •  4.1 一般
  •  4.2 直接測定法
  •  4.3 間接測定法
  • 5 機器効率の決定
  • 6 測定の記録
  • 附属書A(規定)校正と測定にかかわる基本的事項とデータ

適用範囲 [1]

この規格は,物品,施設,線源収納容器,密封線源など(以下,「物品など」という。)の放射性表面汚染を表面汚染密度で評価する方法について規定する。ただし,皮膚と衣服については,適用しない。

この規格は,最大エネルギーEβmaxが0.15 MeV以上のβ線放出核種とα線放出核種による放射性表面汚染に適用する。厳密には,1壊変当たりに生成されるβ粒子,単色電子,又はα粒子の数が,ほぼ1個であるとみなせる核種に限定される【表A.3参照】。

注記 この規格の対応国際規格とその対応の程度を表す記号を,次に示す。

ISO 7503-1:1988,Evaluation of surface contamination-Part 1: Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0.15 MeV) and alpha-emitters (IDT)

ISO 7503-1:2016,Measurement of radioactivity — Measurement and evaluation of surface contamination — Part 1: General principles

なお,対応の程度を表す記号(IDT)は,ISO/IEC Guide 21に基づき,一致していることを示す。

引用規格 [2]

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。

JIS Z 4001原子力用語

注記 対応国際規格:ISO 921:1997,Nuclear energy-Vocabulary,IEC 60050-393:1996,International Electrotechnical Vocabulary-Chapter 393,IEC 60050-394:1995,International Electrotechnical Vocabulary-Chapter 394(全体評価:MOD)

JIS Z 4329 放射性表面汚染サーベイメータ

注記 対応国際規格:IEC 60325,Radiation protection instrumentation-Alpha, beta and alpha/beta (beta energy > 60 keV) contamination meters and monitors (MOD)

JIS Z 4334 放射性表面汚染モニタ校正用線源-β線放出核種(最大エネルギー0.15 MeV以上)とα線放出核種

注記 対応国際規格:ISO 8769,Reference sources for the calibration of surface contamination monitors-Beta-emitters (maximum beta energy greater than 0.15 MeV) and alpha-emitters (MOD)

用語と定義 [3]

この規格で用いる主な用語と定義は,JIS Z 4001 によるほか,次による。

放射性表面汚染(surface contamination) [3.1]

物品などの表面の放射性汚染。

固定性表面汚染(fixed surface contamination) [3.2]

通常の作業状況で放射性物質が,物品などの表面から遊離しない状態の放射性表面汚染。

遊離性表面汚染(removable surface contamination) [3.3]

通常の作業状況で放射性物質が,物品などの表面から遊離する状態の放射性表面汚染。

注記1 「通常の作業」の定義は,放射性表面汚染から放射性物質を吸入するリスクの評価に重要である。放射性表面汚染との物理的接触のうちで,「通常の作業」とみなせる最大の接触強さの例として,次のものがある。

- 人体と放射性表面汚染との間で日常的に起こる,事故でない接触(衣服を介する間接的な場合と直接皮膚が触れる場合とがある。)。

- 人が通常の力で器具を用いて物を取り扱うとき(破壊的な作業は除く。)の器具と物の表面との接触。

ふき取り試験のふき取る強さは,このような通常の作業における接触の強さと同等であることが望ましい。通常,1回のふき取りで遊離性表面汚染の全部をふき取ることはない。

注記2 人為的行為がなくても,湿度,化学薬品などの影響によって,又は腐食,拡散などの過程を経て,固定性表面汚染が遊離性表面汚染に変化することがある。また,その逆の現象も起こり得るし,蒸発と揮発によって放射性表面汚染の放射能が減少することもある。

表面汚染密度(activity per unit area) [3.4]

放射性表面汚染の放射能の汚染面積に対する比。単位は,Bq・cm-2で表す。

直接測定法(direct measurement of surface contamination) [3.5]

放射線測定器を用いて固定性表面汚染と遊離性表面汚染を直接的に測定する方法。この方法は,物品などの内部に収納された放射性物質からの放射線,又は周囲の放射線の影響を受けることがある。

間接測定法(indirect evaluation of surface contamination) [3.6]

ふき取り試験によって,遊離性表面汚染を間接的に測定する方法。

ふき取り試験(smear test) [3.7]

ふき取りろ紙又はふき取りろ紙以外の採取材(以下,「ふき取りろ紙など」という。)を用いて物品などの表面をふき取り,ふき取りろ紙などに移行した放射能から遊離性表面汚染を評価する試験。ふき取りろ

紙などを適切な液体で湿らせてふき取る方法(以下,「湿式ふき取り試験」という。)と乾燥したふき取りろ紙などを用いてふき取る方法(以下,「乾式ふき取り試験」という。)とがある。

ふき取り効率F(removal factor) [3.8]

ふき取り試験において,1回のふき取りによってふき取られた放射能のふき取る前の遊離性表面汚染の放射能に対する比で,次の式による。

F=Ap / AT

Ap: 1回のふき取り試験でふき取った放射能

AT: ふき取りを行う前に存在した遊離性表面汚染の放射能

注記 何回もふき取り試験を繰り返すことによって,実験的にふき取り効率Fを求めることができる。複数回のふき取り試験でふき取った放射能を合算することによって,遊離性表面汚染の放射能(AT)を精度よく推定することができ,最初のふき取り試験でふき取った放射能(Ap)との比からふき取り効率Fを算出することができる。

表面放出率q2π(surface emission rate of a source) [3.9]

線源の前方表面から単位時間に放出される,あるエネルギー以上のβ粒子又はα粒子の数。

線源効率 εS(efficiency of a source) [3.10]

表面放出率の線源(飽和層厚さ以上の厚さの線源は飽和層)の中で単位時間に放出される同じ種類の放射線粒子数に対する比。

機器効率 εi(instrument efficiency) [3.11]

線源に対して,決められた幾何学的条件で測定したときの測定器の正味計数率と線源の表面放出率との比。ある特定の放射線測定器の機器効率は,放射線のエネルギーに依存する。

注記 3.9と3.10の定義から,表面放出率は,放射能と線源効率 Sとの積となる【A.1参照】。

放射性表面汚染の測定方法 [4]

一般 [4.1]

放射性表面汚染は,直接測定法と間接測定法によって測定する。直接測定法では,通常,放射線測定器を用いて遊離性表面汚染と固定性表面汚染とを同時に測定する。間接測定法では,通常,ふき取り試験によって遊離性表面汚染だけを測定する。

放射性表面汚染を測定する目的は,次の二つである。

  • a) 放射性表面汚染の有無と汚染の範囲を特定し,高いレベルの汚染区域から低いレベルの汚染区域又は非汚染区域への汚染の拡大を防止する。
  • b) 単位面積当たりの放射能を評価して,表面密度限度などの判定基準以下であるか,超えているかを確認する。

直接測定法か間接測定法かの選択は,放射性表面汚染の物理的と化学的形状,物品などの表面との付着状態(固定性表面汚染又は遊離性表面汚染),放射線測定器を測定点に近づけることの可否,妨害となる

外部放射線の有無などによる。

間接測定法は,放射線測定器を測定点に近づけることが物理的に困難な場合,又は外部放射線量が高い場合に,有効な方法である。間接測定法では,固定性表面汚染を測定することはできない。また,ふき取り効率に起因する不確かさも決して小さいものではないが,遊離性表面汚染の測定に有効である。

直接測定法と間接測定法のいずれにも欠点があり,よりよい結果を得るためには両者を併用することが望ましい。

機器効率は放射線エネルギーに依存するため,複数のβ線放出核種による混合汚染の場合には,注意しなければならない【箇条5参照】。放射能を直接表示する放射線測定器を用いる場合には,特に注意が必要である。

なお,校正と測定にかかわる基本的事項とデータは,附属書Aによる。

直接測定法 [4.2]

[4.2.1] 放射線測定器に対する要求事項

放射性表面汚染の測定に用いる放射線測定器の特性と性能は,JIS Z 4329に合致したものでなければならない。

放射線測定器は,表面密度限度などの判定基準以下の汚染レベルを測定できるものでなければならない。

注記1 この規格では,検出限界放射能を求める具体的計算方法については規定しない。

注記2 直接測定法に用いる放射線測定器の有効性は機器効率だけでなく,有効面積の大きさにもよる。大面積の窓をもつ放射線測定器は,広範囲にわたって汚染を測定するときなどに有効である。

[4.2.2] 検出方法

測定面上をゆっくりと,検出器を移動させながら測定する。汚染を検出した場合は,その場所に検出器を十分な時間,静止させて測定する。検出器と測定面との距離は,検出器が汚染しない程度にできる限り近づける。距離を一定に保持するためにスペーサなどを用いてもよい。

[4.2.3] 測定方法

[4.2.3.1] 測定するときは,放射線測定器の取扱説明書と次の事項に従わなければならない。

  • a) 測定場所におけるバックグラウンド計数率をあらかじめ測定する。
  • b) バックグラウンド計数率は,測定中も適宜,確認する。
  • c) 放射線測定器が正常に動作することを,測定頻度が高い場合には毎日,そうでない場合には測定の都度,適切な確認用線源を用いて確認することが望ましい。確認の結果,基準値との差が25 %を超えた場合は,再校正しなければならない。
  • d) 実際に放射性表面汚染を測定する場合の幾何学的条件は,校正時の条件と可能な限り同一にすることが望ましい。そのために,着脱式のスペーサを用いてもよい。
  • e) 精度よく測定する場合には,検出器を時定数の3倍の時間(95 %指示に相当)静止させた後,指示値を読み取る。
  • f) 機器効率は,対象とする核種に対して十分高いものでなければならない【箇条5参照】。

[4.2.3.2] 固定性表面汚染と遊離性表面汚染の表面汚染密度AS(Bq・cm-2)は,式(1)による。ただし,汚染面積は,放射線測定器の有効窓(入射窓)面積と同等又は広いものとし,有効窓面積における表面汚染密度は均一とみなす。

放射性 関連 主なJIS規格 一覧

規格番号 規格名称 規格番号 規格名称
JIS T 60601-2-68医用電気機器-第2-68部:電子加速装置,軽イオンビーム治療装置と放射性核種治療装置と組み合わせるX線に基づく画像誘導放射線治療装置の基礎安全と基本性能に関する個別要求事項JIS Z 4316放射性ダストモニタ
JIS Z 4317放射性希ガスモニタJIS Z 4329放射性表面汚染サーベイメータ
JIS Z 4334放射性表面汚染モニタ校正用標準線源-α線,β線とX・γ線放出核種JIS Z 4336放射性ヨウ素サンプラ
JIS Z 4340放射性汚染検査用ランドリモニタJIS Z 4504放射性表面汚染の測定方法-β線放出核種(最大エネルギー0.15MeV以上)とα線放出核種
JIS Z 4507放射性物質で汚染された表面の除染-除染の容易性の試験と評価の方法JIS Z 4601放射性ダストサンプラ
JIS Z 4808放射性物質取扱作業用グローブボックスJIS Z 4809放射性物質による汚染に対する防護服
JIS Z 4810放射性汚染防護用ゴム手袋JIS Z 4811放射性汚染防護用作業靴
JIS Z 4812放射性エアロゾル用高性能エアフィルタ

日本産業規格の一覧

日本産業規格のアルファベット分類一覧を参照

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